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加速拓展海外市場!光華科技亮相2025 NEPCON JAPAN 國際電子科技展覽會
信息來源:光華科技2025-01-26

核心導(dǎo)讀

 

2025年1月22日-24日,全球電子制造業(yè)重要盛會——NEPCON 2025 日本國際電子科技展覽會在東京舉行。GHTECH光華科技攜領(lǐng)先的金屬化合物產(chǎn)品及特殊專用化學(xué)品創(chuàng)新技術(shù)方案亮相,面向全球客戶探討重點合作機會,深入交流行業(yè)未來走向及新技術(shù)新應(yīng)用,贏得現(xiàn)場廣泛關(guān)注與贊譽。

NEPCON JAPAN 國際電子科技展作為代表“電子研發(fā)、制造與封裝技術(shù)”的國際性綜合展會,伴隨著日本及整個亞洲電子行業(yè)發(fā)展成長壯大,至今已成功舉辦30多年,被稱為“亞洲電子產(chǎn)業(yè)制造”風(fēng)向標。

此次,GHTECH光華科技攜其拳頭高端電子化學(xué)品及定制化專用化學(xué)品創(chuàng)新技術(shù)方案亮相。公司的高純度銅鹽、鎳鹽、錫鹽,以及定制級專用化學(xué)品等,不僅提高了電子電路的導(dǎo)電性能和可靠性,還有效降低制造成本,滿足國際市場對高效、環(huán)保、節(jié)能的迫切需求。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),GHTECH光華科技發(fā)揮40多年提純精制工藝及在半導(dǎo)體用先進封裝金屬濕法沉積技術(shù)等的創(chuàng)新優(yōu)勢,逐漸配合半導(dǎo)體客戶需求,為半導(dǎo)體制造過程提供不可或缺的關(guān)鍵材料,確保半導(dǎo)體器件的性能和良率,為亞洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供支撐。

在NEPCON 2025日本國際電子科技展上,GHTECH光華科技專業(yè)團隊接待了包括日本當(dāng)?shù)卮笮途C合商社,日本頭部PCB制造商,日韓知名電鍍藥水制造商等,以及來自印度、波蘭、中國臺灣等眾多客戶,與到訪客戶深度互動,分享最新技術(shù)動態(tài),深入探討行業(yè)未來走向,涵蓋從產(chǎn)品工藝到應(yīng)用領(lǐng)域拓展,探尋新產(chǎn)品與新技術(shù),積極尋覓潛在的合作契機。

客戶們對GHTECH光華科技45年的悠久歷史、企業(yè)發(fā)展規(guī)模,以及掌握關(guān)鍵核心的提純、精制與合成技術(shù)工藝表示贊賞,并對GHTECH光華科技的產(chǎn)品類型豐富多樣、應(yīng)用行業(yè)場景廣泛給予高度認可。在談到具體合作產(chǎn)品時,客戶們對光華科技的全固態(tài)電池原材料,在日本已有實績的高端金屬鹽產(chǎn)品,以及半導(dǎo)體專用化學(xué)品等產(chǎn)品,表現(xiàn)出了濃厚的興趣與合作意愿。此外,在碳中和的全球背景下,國際客戶對GHTECH光華科技的環(huán)保型專用化學(xué)品及減碳的效果與取得的階段性進展,表示積極關(guān)注。

“在全球化的競爭中,只有深入洞悉客戶痛點,匹配客戶需求,不斷創(chuàng)新、不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平,才能贏得客戶的信任和市場的認可。因此,GHTECH光華科技始終保持著對技術(shù)的敬畏之心,不斷推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。”GHTECH光華科技海外業(yè)務(wù)拓展負責(zé)人表示。

 

GHTECH光華科技此次亮相2025 NEPCON JAPAN 國際電子科技展,不僅展示了其領(lǐng)先的產(chǎn)品和技術(shù),還以其專業(yè)性和創(chuàng)新精神,贏得國際客戶的尊重和信賴。未來,GHTECH光華科技將繼續(xù)秉承“綠色環(huán)保·追求卓越”的企業(yè)使命,加速夯實新質(zhì)生產(chǎn)力,堅持“以客戶為中心,為客戶創(chuàng)造價值”的經(jīng)營理念,聚焦客戶核心痛點需求,緊跟市場動態(tài)和科技前沿趨勢,以技術(shù)創(chuàng)新推進產(chǎn)品迭代,以產(chǎn)品迭代賦能可持續(xù)發(fā)展,為全球客戶持續(xù)提供高品質(zhì)的產(chǎn)品技術(shù)及解決方案。同時,公司將進一步加大海外市場拓展力度,推動高端電子化學(xué)品及PCB/IC與半導(dǎo)體級專用化學(xué)品技術(shù)出海、品牌出海,讓中國品牌閃耀國際舞臺,共同推動全球電子制造業(yè)邁向更加美好的未來。

 

 

 

通訊員 | Liu Y.L.

撰稿 | Lin Z.K. / Liu Y.L.

設(shè)計 | Yang J.Y.

編輯 | Li Y.C.

審核 | Jiao C.L / Lin Z.K. / Chen D.F. / Mai S.X.

 
 

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